Probe station
voltage에 따른 current와 capacitance를 측정하는데, 이 장비는 wafer에서 각 chip의 전기적 특성검사를 통하여 양/불량을 선별하는 EDS Tester system의 필수적인 구성요소로써, memory tester와 연결되어 prober를 이용하여 직접적으로 test하고자 하는 chip 또는 IC에 전압을 가하여 발생된 전기적 특성을 메모리
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
방법론적으로는 먼저 chamber내에 존재하던 전자들이 전기장에 의해 운동에너지를 얻어 + 전압이 걸린 쪽으로 이동을 하게 되면서 그 과정에서 주변에 있던 gas atom들과 충돌을 하게 되고, 충격을 받은 gas atom에서 다른 전자가 나오게 되면서 radical이나 양이온이 되는 것으로 간략하게 볼 수 있다. 이렇게
2.3 C-V graph
The measured MOS capacitance (called gate capacitance) varies with the applied gate voltage.
① Measurement of C-V characteristics
-Apply any DC bias, and superimpose a small (15 mV) ac signal
-Generally measured at 1 MHz (high frequency) or at variable frequencies between 1KHz to 1 MHz
-The dc bias VG is slowly varied to get quasi-continuous C-V characteristics
② C-V chara
2.3. Aperture Size
Aperture size는 Depth of Focus(초점심도)와 연관되어 있으며 size가 작아질수록 Depth of Field가 좋아져 높이가 다른 상들을 선명하게 관찰할 수 있다. Depth of Field는 렌즈나 반사거울 등에서 어떤 점 P0의 상을 P0'에 맺게 할 때 상 쪽 P0'(또는 물체 쪽 P0) 앞뒤의 선명하다고 볼 수 있는 결상(結像)의
1.2.4. 유전상수
전기적으로 부도체인 물질(유전체)의 전기적 성질 중 하나로써 유전체로 채워진 축전기의 전기용량과 유전체가 없이 진공 내에 있는 동일한 형태의 축전기의 전기용량값의 비와 같은 값이다. 평행판 축전기에 유전체를 삽입하면 평행판이 진공에 있을 때에 비해서 전기 용량(각 판에
③ K conductance가 resting values때보다 크게 증가할 경우를 가정할 경우, 세포 내 K농도, K에 대한 total electrochemical potential, 막전압은 어떻게 될 것인지 설명하시오.
g(K)가 0.35 mS/㎠ 에서 10.00 mS/㎠ 로 크게 증가할 경우,
세포 내 K 농도 : 149.9999144 meq/L → 149.9999089 meq/L
K 에 대한 total electrochemical potential : -6 mV →
[3] Thin Film Deposition
초집적 반도체를 구성하는 소자들은 그 특성상 그 크기가 매우 얇아(작고) 미세한 조직을 가진다. 그리고 이것은 박막 증착(TFD = Thin Film Deposition) 공정을 통해 제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에
4. Equipment
4.1 RCA cleaning
RCA cleaning is a series of rinsing procedure prior to experiment with Si wafer. The purpose of the RCA clean is to remove organic contaminants (such as dust particles, grease or silica gel) from the wafer surface. There are three steps to be performed. The first step is to remove organic contaminant from surface of wafer. Second step is to remove any oxide layer
Abstract- This paper presents an X-band voltagecontrolled
hairpin resonator oscillator using GaAs
MESFET varactor. To get wide tuning range, the
hairpin resonator is combined with the MESFET
varactor. It is incorporated into the series feedback
oscillator. The measurement of the oscillator
showed the frequency tuning range of 11.15 MHz
with the output power flatness less than 0.10 dB at
t